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德国NEULAND项目:“利用SiC和GaN on Si可将能源损失减半”

关键词 德国 , 碳化硅 , NEULAND , 能源|2010-12-27 09:33:03|国际资讯|来源 技术在线
摘要   德国研究项目“NEULAND”的6家成员企业宣布,通过使用新半导体材料,能将可再生能源、通信及照明各系统的能源损失减半。NEULAND项目得到德国联邦教...

  德国研究项目“NEULAND”的6家成员企业宣布,通过使用新半导体材料,能将可再生能源、通信及照明各系统的能源损失减半。NEULAND项目得到德国联邦教育研究部(BMBF)约470万欧元的资助。参加企业为来自德国半导体业界和太阳能发电业界的6家公司:爱思强(Aixtron AG)、Azzurro Semiconductors、英飞凌科技(Infineon Technologies AG)、MicroGaN GmbH、SiCrystal及艾思玛太阳能(SMA Solar Technology AG),预计项目将持续到2013年中期。
  
  NEULAND将利用碳化硅(SiC)和硅(Si)基板上的氮化镓(GaN)等宽带隙化合物半导体,开发能源效率高、成本低的功率元件。目标是通过使用该元件,在无需大幅提高系统成本的基础上,将太阳能发电等产生的电力损耗削减一半。NEULAND表示,计划将来把这种元件用于台式电脑、笔记本电脑、平板电视、服务器以及通信系统等的电源,在这些应用中预计也能将能源损失减半。
 

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