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Semi最新报告显示，全球晶圆厂预测中的新项目包括 15 个 300 毫米和 3 个 200 毫米工厂，其中大部分预计将于 2026 年至 2027 年开始运营。

预计半导体产能将进一步加速，预计年增长率为 6.6%，到 2025 年每月总产能将达到 3360 万片 2 亿当量晶圆 (wpm)【编辑注：200mm等效晶圆】。这一扩张将主要受到高性能计算 (HPC) 应用中前沿逻辑技术的推动，以及生成式人工智能在边缘设备中的日益普及。

2025 年，美洲和日本是领先地区，各有 4 个项目。中国大陆、欧洲及中东地区并列第三，计划建设 3 个项目。台湾地区计划建设 2 个项目，而韩国和东南亚在 2025 年各有 1 个项目。

SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：“半导体行业已经到达一个关键时刻，投资推动着尖端和主流技术的发展，以满足不断变化的全球需求。生成式人工智能和高性能计算正在推动尖端逻辑和内存领域的进步，而主流节点继续支撑汽车、物联网和电力电子领域的关键应用。18 座新的半导体晶圆厂将于 2025 年开始建设，这表明该行业致力于支持创新和显著的经济增长。”

2024 年第四季度的《全球晶圆厂预测》报告涵盖 2023 年至 2025 年，报告显示全球半导体行业计划开始运营 97 座新的高容量晶圆厂。其中包括 2024 年的 48 个项目和 2025 年将启动的 32 个项目，晶圆尺寸从 300 毫米到 50 毫米不等。

先进节点引领半导体产业扩张 

预计半导体产能将进一步加速，预计年增长率为 6.6%，到 2025 年每月晶圆总量将达到 3360 万片 (wpm)**。这一扩张将主要受到高性能计算 (HPC) 应用中前沿逻辑技术的推动，以及生成式 AI 在边缘设备中的日益普及。

应对大型语言模型 (LLM) 不断增长的计算需求，芯片制造商正在积极扩大先进节点容量（7nm及以下），预计到2025年将实现行业领先的16%的年增长率，增加300,000wpm以上，达到220万wpm。

受中国芯片自给自足战略以及汽车和物联网应用预期需求的推动，主流节点（8nm~45nm）预计将再增加6%的容量，并在2025年突破1500万wpm的里程碑。

成熟技术节点（50nm 及以上）的扩张较为保守，反映出市场复苏缓慢且利用率较低。预计该部分将增长 5%，到 2025 年达到 1400 万 wpm。

晶圆代工部门产能继续强劲增长 

预计代工厂将继续成为半导体设备采购的领导者。代工厂部门的产能预计将同比增长 10.9%，从 2024 年的 1130 万 wpm 增至 2025 年创纪录的 1260 万 wpm。

整体内存领域显示出可观的容量扩张，2024 年将温和增长 3.5%，2025 年将增长 2.9%。然而，强劲的生成式 AI 需求正在推动内存市场发生重大变化。高带宽内存 (HBM) 正在经历显著的增长，导致 DRAM 和 NAND 闪存领域之间的容量增长趋势出现分歧。

DRAM 领域预计将保持强劲增长，预计到 2025 年将同比增长约 7%，达到 450 万 wpm。相反，3D NAND 的安装容量预计将增长 5%，在同一时期达到 370 万 wpm。