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全球材料、应用技术及服务的综合供货商Dow Corning先进技术与新业务拓展部门日前宣布，其最新的低介电常数碳化硅与氢化碳氧化硅 (low-k SiC and H:SiOC) 薄膜制造方法已获得美国专利。这套方法利用电浆辅助化学气相沉积制程 (PECVD) 让含氧气体与带有应力硅键结的环硅烷化合物进行反应。
芯片制造商近年来已开始利用低介电常数绝缘材料来减少晶体管间的电性干扰，以使这些晶体管的位置能够更靠近，进而制造出体积更小、速度更快和耗电更少的芯片。但随着半导体组件不断微缩，传
统的低介电常数薄膜越来越容易受到制程高温破坏，而更难附着在芯片导线所用的金属层上。
Dow Corning预期从32nm开始，新一代芯片都会利用这种低介电常数制程制造层间介质。
Dow Corning电子暨先进技术事业部的全球执行总监Je
roen Bloemhard表示：“获得这项专利证明我们的芯片技术正持续精进，而我们也致力于保护公司的智慧财产。我们将继续在硅材料产业发挥影响力，并正积极投资于研发，以满足未来的市场需求。”