CMC材料申请用于高度掺杂硼的硅膜的化学机械抛光组合物专利，可用于对含掺杂硼多晶硅层衬底进行化学机械抛光 _资讯

CMC材料申请用于高度掺杂硼的硅膜的化学机械抛光组合物专利，可用于对含掺杂硼多晶硅层衬底进行化学机械抛光

关键词抛光|2025-07-07 15:26:53|涂附新闻|来源金融界

摘要金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，CMC材料有限责任公司申请一项名为“用于高度掺杂硼的硅膜的化学机械抛光组合物”的专利，公开号CN120265720A，申请日期...

金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，CMC材料有限责任公司申请一项名为“用于高度掺杂硼的硅膜的化学机械抛光组合物”的专利，公开号CN120265720A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)二氧化硅磨料；(b)氧化剂；以及(c)水，其中所述化学机械抛光组合物具有约2或更低的pH。本发明还提供一种使用所述组合物对衬底、尤其在衬底的表面上包含掺杂硼的多晶硅层的衬底进行化学机械抛光的方法。

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