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已完成半导体级抛光液的性能验证

关键词 抛光|2025-01-08 15:37:06|涂附新闻|来源 中国粉体网
摘要 近日,投资者就金太阳参股领航电子相关半导体产品问题向金太阳提问,公司表示,参股公司东莞领航电子新材料有限公司已完成IC、硅晶圆、碳化硅等半导体级抛光液的性能验证并具备量产能力......

近日,投资者就金太阳参股领航电子相关半导体产品问题向金太阳提问,公司表示,参股公司东莞领航电子新材料有限公司已完成IC、硅晶圆、碳化硅等半导体级抛光液的性能验证并具备量产能力。 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是化学腐蚀和机械磨削相互作用的超精密加工技术,其基本原理是工件表面材料与抛光液中的氧化剂发生化学反应,生成一层软质层,在一定的压力下,旋转抛光液磨粒和抛光垫对软质层进行机械去除,使工件表面重新裸露出来,然后进行化学反应:化学作用和机械作用交替进行,直到两者达到平衡,完成工件表面抛光。 目前化学机械抛光技术被广泛应用于集成电路制造过程中对基体材料硅晶片的抛光,主要包括:浅槽隔离、铜互连、High-k绝缘层金属栅极(HKMG)先进晶体管制造、鳍式场效应晶体管(FinFET)、局部连接的高级触点、高级逻辑器件中的高迁移率沟道材料、高级动态随机存储器中的埋人式字线品体管结构等,对于不同的多层材料的表面平坦化均有良好的效果。   CMP工艺  来源:王林,抛光垫微观接触对化学机械抛光材料去除的影响及其跨尺度建模方法 CMP抛光液可以有效地去除晶圆表面的凸起和凹陷,实现晶圆表面的平整化,提高晶圆质量和性能。它的种类、物理化学性质(磨料颗粒的粒径大小、颗粒的分散度及稳定性)等都会影响工件材料表面抛光的效果。研磨颗粒是CMP抛光液重要的组成部分,其在抛光过程中通过微切削、微划擦、滚压等方式作用于工件被加工表面,去除表面材料。磨粒占抛光液成本的50%-70%。  东莞领航电子新材料有限公司成立于2021年11月,在粤港澳大湾区几何中心由海外CMP业界资深人士、博士领衔担纲。产品主要服务于3C、IC企业。企业立足在CMP领域助力企业提质增效,是CMP企业的运营整体方案提供商。公司聚焦于CMP企业的抛光/研磨高效化运营,通过与客户需求相匹配的管理平台所搭建的企业专业化研发、数字化生产、贴近化服务,构建横向集成、纵向贯通、端到端一体化的全新运营管理体系。 

公司秉承企业文化与理念,为CMP企业提供技术支持与各类解决方案。通过技术交流和产品服务,提升CMP企业运营能力!目前产品包括硅片、碳化硅、氮化镓等抛光材料,IC芯片、大规模集成电路抛光材料,3C智能可穿戴抛光解决方案/抛光材料,精密制造抛光解决方案/抛光蜡。



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