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山东浪潮华光光电子公司最近在高功率碳化硅(SiC)衬底制备大功率LED芯片方面取得重大进展，其倒装垂直结构芯片裸晶功率达到400mW，与美国科瑞公司近期投放市场的产品指标相当。
　　又一个LED顶级“黑匣子”被打开了
　　外观像镀膜玻璃，厚薄似一张纸，大小如一次性纸杯杯底。泰山学者、浪潮华光常务副总经理徐现刚博士告诉记者，这是一片用碳化硅做衬底、长上了氮化镓(GaN)发光薄膜的外延片，最多可以做成4万粒芯片(管芯)。
　　浪潮华光的前身是潍坊华光集团和山东大学、原山东工业大学1999年11月共同出资组建的山东华光光电子有限公司，当时承担的国家最早的半导 体发光材料与器件产业化项目，标志着国内LED产业化的开端。2002年，山东华光批量生产并通过鉴定的高亮度LED芯片，被业界誉为“半导体发光器件的 中国芯”。
　　徐现刚告诉记者，LED产业的特点是下游跟着上游走，得材料者得天下。目前生产蓝绿光LED外延片的衬底材料主要有蓝宝石和碳化硅，其核心技术分别被日本日亚公司和美国科瑞公司封锁；而在大功率LED器件制备上碳化硅衬底拥有绝对优势。
　　碳化硅晶体被称为第三代半导体材料，又称为宽禁带半导体材料、高温半导体材料等，在耐高温、抗辐射、抗腐蚀、耐高击穿电压等方面的性能非常优 越，可广泛应用于电子、航天、军工、核能等领域，是目前国际上的研究热点。碳化硅单晶却是最难生长的人工晶体之一，需在2100℃以上保持高真空一周以 上，对籽晶质量、固定方式等也有很高要求。一片2英寸的碳化硅晶片，国际售价高达500美元。高昂的原材料成本，使碳化硅半导体器件价格居高不下，虽具有 诸多优点，但只能用于特殊领域，成为制约第三代半导体产业发展的瓶颈。
　　志在打造中国“光谷”的徐现刚锁定了碳化硅
　　2008年，徐现刚带领他的技术团队自主研发成功碳化硅单晶生长炉，在短时间内成功生长出直径2英寸的碳化硅晶体，解决了切片、抛光等工艺， 使我国成为继美国、日本、德国之后，第4个有能力生长这种晶体的国家。目前，山东大学晶体材料国家重点实验室，已经建成了碳化硅单晶生长、机械加工完整生 产线，3英寸衬底达到“开盒即用”水平，且实现了小批量生产，4英寸衬底已经研制成功。
　　2000-40000粒LED芯片，可为5台40寸的液晶电视提供背光源。利用LED背光源技术，可以使传统液晶电视厚度减少三分之二，能耗 降低一半。近几年，中国LED芯片国产化率虽然达到了50%以上，但基本上还是集中在中低端市场，国产LED芯片很少能够打入液晶电视背光、车用照明等高 端产品的供应链之中。2010年，浪潮华光研发成功液晶电视背光源芯片并实现量产，价格不到国外产品的二分之一，打破了国外厂商的垄断。
　　在浪潮华光与山东大学10余年的合作中，山东大学直接将徐现刚等核心技术人员派驻企业，其学术研究、人才培养跟踪行业前沿技术，课题项目和研发内容根据企业产品生产实际需求设立，同时坚持以市场为导向，确保技术成果在最短时间内转化为现实生产力。
　　目前，浪潮华光LED芯片及激光器产量和市场占有率居国内第一位，全色域(红黄蓝绿)LED外延和芯片市场占有率居国内第二位。