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晶亦精微申请一种氮化镓抛光的方法专利,极大地提高了GaN的表面质量以及产品合格率

关键词 抛光|2025-07-08 16:30:55|涂附新闻|来源 金融界
摘要 专利摘要显示,本发明涉及抛光技术领域,具体公开一种氮化镓抛光的方法。本发明提供的氮化镓抛光的方法,包括如下步骤用第一抛光液、第一抛光垫以及第二抛光液、第二抛光垫依次对氮化镓进行第一...

金融界2025年7月8日消息,国家知识产权局信息显示,北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓抛光的方法”的专利,公开号CN120244715A,申请日期为2025年05月。

专利摘要显示,本发明涉及抛光技术领域,具体公开一种氮化镓抛光的方法。本发明提供的氮化镓抛光的方法,包括如下步骤用第一抛光液、第一抛光垫以及第二抛光液、第二抛光垫依次对氮化镓进行第一次抛光处理和第二次抛光处理,得抛光氮化镓。本发明通过对GaN表面进行了两次抛光处理,并限定了第一次抛光和第二次抛光时的抛光液的磨料以及抛光垫的类型硬度趋势,在提高抛光速率、降低GaN表面粗糙度的前提下,还解决了现有抛光工艺处理GaN后表面出现微裂纹和内裂的问题,极大地提高了GaN的表面质量以及产品合格率。

天眼查资料显示,北京晶亦精微科技股份有限公司,成立于2019年,位于北京市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16646.135万人民币。通过天眼查大数据分析,北京晶亦精微科技股份有限公司参与招投标项目51次,财产线索方面有商标信息15条,专利信息375条,此外企业还拥有行政许可8个。


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