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据市场传闻，SK海力士（SK Hynix）为满足重要客户的需求，计划在2025年下半年采用3纳米工艺生产第六代高带宽存储器（HBM）“HBM4”，而非原先规划的5纳米制程。

这一消息由《韩国经济新闻》于近日援引半导体业界消息进行报道。据悉，SK海力士已决定与晶圆代工巨头台积电合作开发HBM4，主要出货客户为英伟达（Nvidia Corp.）。

消息人士透露，SK海力士最快将于2024年3月发布一款采用3纳米基础裸晶的垂直堆叠HBM4原型。目前，英伟达的GPU主要基于4纳米HBM技术。基础裸晶位于连接GPU的HBM底部，其作用相当于芯片的大脑。通过堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，预计其效能将较5纳米HBM4提升20%至30%。

SK海力士此次决定用3纳米裸晶生产HBM4，或进一步拉大与竞争对手三星电子（Samsung Electronics Co.）的差距。据悉，三星原计划采用自家4纳米制程生产HBM4。然而，随着SK海力士选择更先进的3纳米工艺，三星也面临了压力。

据@Jukanlosreve近日在社交平台上爆料，SK海力士之所以改变策略，选择台积电3纳米技术制造HBM4，是为了回应三星此前宣布将以4纳米生产HBM4的消息。然而，有趣的是，三星目前也在考虑采用3纳米工艺生产HBM4，甚至可能同样选用台积电的3纳米技术。

HBM作为一种高性能存储器，广泛应用于高性能计算、数据中心以及人工智能等领域。随着技术的不断进步，市场对HBM的需求也在持续增长。SK海力士此次选择更先进的3纳米工艺生产HBM4，不仅有助于提升产品性能，还将进一步巩固其在高端存储器市场的地位。

对于三星来说，面对SK海力士的强势进攻，其也需要尽快做出决策以应对市场竞争。如果三星最终选择跟进并采用3纳米工艺生产HBM4，那么这将是一场在先进制程技术上的直接较量。

另一边，台积电作为全球领先的晶圆代工厂商，其3纳米工艺已经得到了广泛认可。SK海力士选择与台积电合作，是为了确保HBM4产品的质量和性能。而三星如果也选择台积电的技术，则将进一步证明3纳米工艺在高端存储器市场中的重要地位。