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1965年沃尔什和赫尔佐格提出二氧化硅溶胶和凝胶抛光的方法，自此，以二氧化硅浆料为代表的化学机械抛光（CMP）工艺就逐渐取代了机械抛光的主导地位；20世纪80年代中期，IBM公司将化学机械抛光工艺引入集成电路制造工业。如今，CMP是能提供超大规模集成电路（VLSI）制造过程中全面平坦化的一种新技术，也是保证电子级晶圆和最终产品成功的唯一途径。

CMP抛光材料成本在半导体材料成本中占比约为7%，其中抛光液是占比最高（49%）的核心工艺耗材。CMP抛光液中成份复杂，其中磨粒占抛光液成本的50%-70%。那么抛光液中常见的磨料材料有哪些？

1.硅溶胶（SiO2）

硅溶胶是CMP工艺中应用最广的磨料，硅溶胶属于软性磨料，在抛光面加工过程中不易被划伤，同时胶体粒径为纳米，具有较大的比表面积，适合用于软金属、硅等材料的抛光。    

2.氧化铝（Al2O3）

在CMP中使用的氧化铝磨料，常选用硬度大、性能稳定、不溶于水、不溶与酸碱的纳米α-Al2O3，其对于硬底材料如蓝宝石、碳化硅衬底等却具有优良的去除速率。随着LED蓝宝石衬底、硅晶片的需求日益增长以及碳化硅半导体产业的兴起，Al2O3抛光液在CMP中的应用显得更为重要。    

3.氧化铈（CeO2 ）

CeO2具有较为适中的硬度，通常认为抛光材料中CeO2 的含量越高，抛光效率越高。其在光学玻璃、集成电路基板、精密阀门等领域得到大量研究和广泛应用，且在先进封装的抛光磨料只能是氧化铈。   

4.金刚石

当金刚石达到纳米级时，就能兼具有金刚石和纳米颗粒的双重特性，具有超硬特性、多孔表面、高比表面积以及球形形状等特点，因此可作为抛光材料使用。目前，纳米金刚石抛光液以其优异的性能被广泛应用在计算机硬盘、计算机磁头、蓝宝石衬底抛光等领域。

5.氧化锆

纳米氧化锆抛光液软硬度适中、不划伤被抛物面；悬浮性好，不易沉淀，使用方便；分散性好、乳液均一，极大提高了抛光效率和精度。主要用于软材料透镜、照相机镜头、精密光学玻璃以及陶瓷及硅片的精密抛光。